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高溫存儲試驗、溫度循環(huán)試驗、溫濕度試驗等。
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可靠性測試 EOS過度電性應力/涌浪測試一般件、ESD（HBM）一般件、ESD（MM）一般件、ESD（Latch-up）一般件、Non socket CDM Orion CDM 一般件、System-level ESD test 一般件、TLP ESD test 一般件、UBHAST 非偏壓高加速壽命試驗、TCT 溫度循環(huán)試驗、BLT 偏壓壽命試驗、HTS 高溫貯存試驗 0~ 300c、LTS 低溫貯存試驗、THB 溫濕度貯存偏壓試驗、PCT 高溫水蒸汽壓力試驗、HAST 高加速壽命試驗、Pre-condition-not include SAT、Solderability 沾錫試驗、PTC 電源溫度循環(huán)、SAT 一般件。 |
| 服務項目 | 描述 | |
| 芯片失效分析 | EMMI | 失效點定位 |
| OBIRCH | 擊穿路徑成像 | |
| FIB | 電路修改：0.55 um以上、電路修改：0.11-0.28 m及以上工藝（鋁制程）、電路修改：0.11-0.18 um （銅制程）、電路修改: 55-90 nm、電路修改：28-40 nm、切割：IC橫截面、切割：TEM樣品制備 | |
| SEM | 電子成像 | |
| EDX | 元素分析 | |
| DECAP | 金線、銅線、合金 | |
| OM | 高清光學顯微成像，可拼圖 | |
| AFM（C-AFM） | 材料微觀形貌、大小、厚度和粗糙度表征；表面電勢、導電性、彈性模量、壓電系數(shù) | |
| XPS | 元素種類、化學價態(tài)及相對含量鑒別；元素或化學態(tài)表面分布分析 | |
| TEM | 材料微區(qū)觀察與分析 | |
| FIB+TEM | 透射樣品制祥+觀察 | |
| XRD | 金屬和非金屬定性定量分析 | |
| Raman | 物質(zhì)結(jié)構(gòu)鑒定、分子相互作用分析 | |
| 橢偏儀 | 各種介質(zhì)膜厚度及折射率 | |
| FT-IR | 樣品成分、結(jié)構(gòu)鑒定 | |
| 芯片電學測試 | 靜態(tài)特性參數(shù) | 靜態(tài)參教、特性曲線（Vd-Id, ld-Vg） |
| 動態(tài)特性參數(shù) | 等效電容Ciss, Cosg, Crss；柵極等效電阻Rg；柵極電荷特性Qg；阻性開關(guān)特性td（on），td（off）,tr, tf；感性開關(guān)特性td（on）, td （off）,tr, tf；二極管反向恢復特性trr, Qrr；短路耐量（時間） | |
| 熱阻特性 | 穩(wěn)態(tài)熱阻、瞬態(tài)熱阻 | |
| 抗靜電雷擊測試 | 二極管液涌測試儀（正向）、二極管液浦測試儀（反向）、雷擊浪涌發(fā)生器、峰值電壓測試設(shè)備、雷擊浪涌測試設(shè)備、TLP | |
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